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第8章 芯片准备

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p; 李飞这样确定,是因为cmos工艺已经非常成熟了,

    在1963年CMOS工艺已经出现,只不过早期的CMOS器件性能也较差,但由于CMOS器件的功耗极低,集成度也高,用以制造数字LSI和VLSI集成电路可很好地解决最迫切的功耗问题,

    于是,在数字LSI和VLSI集成电路的制造中首先得到广泛应用,并得到快速发展,特别是自20世纪80年代以来,更成为CPU、RAM、ROM等VLSI的主导制造工艺,在电脑芯片工艺应用上十分广泛。

    由于cmos工艺具有电流小,抗干扰能力强,集成度高等一系列的优点,

    各大芯片设计巨头公司开始在模拟芯片电路进行CMOS工艺研究设计…,

    而李飞利用重生前的芯片技术积累,用cmos工艺制造FM芯片,可以说在FM芯片市场上是非常先进的芯片工艺技术了!

    那么,如果FM芯片使用双极TTL晶体管工艺,在市场上没有优势了!最重要的是FM芯片后续应用于汽车和手机,可能就没有技术优势了,因为汽车和手机的电磁干扰非常大,

    于是,李飞亲自打电话给台极电专业负责客服工程电话,客气地说道:“你好,我是大深市芯片产业的工程师李飞,关于贵司的邮件告知我司的芯片流片还需要延迟,到底是什么原因?”

    对方态度不友善地说道:“哦,你FM芯片工艺要求是COMS,可是目前FM芯片主流可是双极TTL,”

    李飞压住心中怒气,平和道:“现在芯片工艺主流是COMS…,”

    没等李飞把话说完,对方打断了,并轻蔑地说:“你们内地人不懂,芯片是高科技产品,和你说不清,简单地说,你的FM芯片采用CMOS工艺,是比较复杂,在芯片制造上工序比较多,所以,芯片流片时间需要延缓…”

    李飞乐呵一笑,在本人面前谈论芯片制造工艺,你还嫩了一点,重生前,本人在英特尔是副总裁,负责英特尔的芯片设计和芯片制造,

    ...

    同时,李飞从内心上,认为不必和这人一般见识,不必再继续说下去…,

    但为了FM芯片早点量产,早点让FM芯片进入市场变现,李飞不得不展示芯片研发实力,给一点颜色看看,让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了,就命令道:“你不要打断我说话!如我说得没有错的话,CMOS工艺流程大概是这样的:

    先是准备n型硅片,用以制造NMOS和PMOS晶体管。(注:CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的)

    再使用湿氧化方法,在硅片上生长设定厚度(如约0.6微米)的二氧化硅层,作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。

    接着,光刻出NMOS晶体管的p阱区和PMOS晶体管的源、漏区后,使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。

    在淀积硼以后,进行杂质推进扩散,形成NMOS晶体管的p阱,在推进扩散的同时,也进行干氧化,接着进行湿氧化预定时间(如20分钟),该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。

    如光刻出n型掺杂区,然后进行磷掺杂扩散,形成NMOS晶体管的源、漏区;

    在磷扩散以后,进行湿氧化预定时间(如20分钟),该二氧化硅层用以制造NMOS和PMOS栅氧化区的的掩蔽层;

    光刻出NMOS和PMOS晶体管的栅区,然后使用干氧化方法,生成设定厚度的栅二氧化硅层(如500纳米制程),”
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